一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法
基本信息
| 申请号 | CN201910700631.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110416130A | 公开（公告）日 | 2019-11-05 |
| 申请公布号 | CN110416130A | 申请公布日 | 2019-11-05 |
| 分类号 | H01L21/67（2006.01）I; B41K1/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 栗甲婿; 董想 | 申请（专利权）人 | 沛顿科技（深圳）有限公司 |
| 代理机构 | 东莞市中正知识产权事务所（普通合伙） | 代理人 | 沛顿科技（深圳）有限公司 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市福田区彩田路1号厂房第一层2号，第四层南区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种利用激光切割针对假片内单颗IC芯片进行盖印的方法，本方法针对wafer上进行不同IC盖印内容使用，包括如下步骤：S1：对wafer进行激光切割，在wafer的左右两侧各切割出4颗或者更多单颗IC放置孔；S2：丢弃wafer上切掉的8颗或者更多IC，在wafer的背面粘上胶带，制成单颗IC的盖印治具；S3：将一条需要镭射不同盖印的基板跳过盖印工站，将基板完整契合在盖印治具上，对盖印治具的IC孔位进行切除后，放入单颗IC的盖印治具，可最多一次盖印8颗或者更多相同内容的单颗IC。 |
