一种使用激光环切解决3D NAND晶圆薄片裂片问题的方法

基本信息

申请号 CN201910704935.0 申请日 -
公开(公告)号 CN110323183A 公开(公告)日 2019-10-11
申请公布号 CN110323183A 申请公布日 2019-10-11
分类号 H01L21/78;B23K26/38;B23K26/402 分类 基本电气元件;
发明人 彭东平;梁启鹏 申请(专利权)人 沛顿科技(深圳)有限公司
代理机构 东莞市中正知识产权事务所(普通合伙) 代理人 沛顿科技(深圳)有限公司
地址 518000 广东省深圳市福田区彩田路1号厂房第一层2号,第四层南区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种使用激光环切解决3D NAND晶圆薄片裂片问题的方法,贴膜:在晶圆外部贴膜,覆盖整个晶圆;激光环切:3D NAND晶圆的存储单元,在高倍显微镜下观察可见每个晶圆颗粒有许多7um左右的凸起来的存储单元,而边缘的边角料因为没有存储单元,导致边缘真空吸取不良,容易凸起,受到外力时容易破损,因此使用激光环切对3D NAND晶圆的存储单元边缘进行激光切割;薄片+贴膜:对激光切割后的晶圆进行薄片处理,并在此进行贴膜操作;划片:通过P1‑P3操作后,进行晶圆的划片处理。