一种异质外延生长氮化镓（GaN）的方法
基本信息
| 申请号 | CN201511032117.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105568386A | 公开（公告）日 | 2016-05-11 |
| 申请公布号 | CN105568386A | 申请公布日 | 2016-05-11 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01)I;C30B25/12(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王嘉;谢亚宏;胡晓东;秦宇航 | 申请（专利权）人 | 上海澜烨材料技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海科律专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 叶凤 |
| 地址 | 201702 上海市青浦区盈港东路8300弄6-7号1幢3层U区386室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体光电子领域，涉及半导体薄膜材料的外延生长和氢化物气相沉积(HVPE)技术领域，为一种异质外延生长氮化镓(GaN)的方法。该方法不仅操作简便，成本低廉，还能够显著降低外延膜因热应力产生的翘曲度，以获得接近零翘曲的GaN外延层。 |
