宽禁带半导体材料的生长和分离方法
基本信息
| 申请号 | CN201510853840.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105390571A | 公开（公告）日 | 2016-03-09 |
| 申请公布号 | CN105390571A | 申请公布日 | 2016-03-09 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王嘉;秦宇航 | 申请（专利权）人 | 上海澜烨材料技术有限公司 |
| 代理机构 | 上海科律专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 叶凤 |
| 地址 | 201702 上海市青浦区盈港东路8300弄6-7号1幢3层U区386室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种宽禁带半导体材料的生长和分离方法。该方法相比化学法腐蚀衬底、激光剥离衬底等传统方法，可实现更加低成本和高效率的目的。本发明利用横向过生长所需的掩膜层，通过外部输入电压信号，使得缓冲层薄膜产生变化，实现了HVPE外延生长的氮化镓层与衬底分离的目的。 |
