一种用于制备高导电率薄膜的铜基合金及溅射靶材
基本信息
| 申请号 | CN201910240090.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109811183A | 公开（公告）日 | 2019-05-28 |
| 申请公布号 | CN109811183A | 申请公布日 | 2019-05-28 |
| 分类号 | C22C9/00（2006.01）I; C23C14/34（2006.01）I | 分类 | 冶金；黑色或有色金属合金；合金或有色金属的处理; |
| 发明人 | 黄华凛 | 申请（专利权）人 | 广东迪奥应用材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 广东广和律师事务所 | 代理人 | 王少强 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市宝安区新安街道宝城028区华利工业区2栋302 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制备高导电率薄膜的铜基合金及溅射靶材，其包括二元或三元金属；所述二元金属为铜钕或铜钯；所述三元金属为铜铝钕、铜钯钕、铜钯银、铜钯铋、铜银钕、铜钕铋或铜银铋。本发明提升了纯铜膜的热学性能、有效的抑制铜膜的粗糙，使得布线微型化发展更进一步。 |
