一种PIN结构核电池
基本信息
| 申请号 | CN202022442243.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214012523U | 公开（公告）日 | 2021-08-20 |
| 申请公布号 | CN214012523U | 申请公布日 | 2021-08-20 |
| 分类号 | G21H1/06（2006.01）I | 分类 | 核物理；核工程; |
| 发明人 | 张玲玲 | 申请（专利权）人 | 无锡华普微电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 殷红梅 |
| 地址 | 214135江苏省无锡市新吴区菱湖大道202号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种PIN结构核电池，包括半导体材料衬底，所述半导体材料衬底的上部由下而上依次形成P型半导体层、阳极金属层、放射性同位素层；所述半导体材料衬底的下部形成沟槽结构，所述沟槽结构的上面形成N型半导体层，所述沟槽结构的下面形成阴极金属层；其中，所述N型半导体层位于所述半导体材料衬底下方。本实用新型提供的PIN结构核电池，解决了I区过长导致的电子空穴对扩散问题，可以提高对放射性同位素源的探测效率。 |
