一种晶片的清洗方法
基本信息
| 申请号 | CN202110976594.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113675073A | 公开（公告）日 | 2021-11-19 |
| 申请公布号 | CN113675073A | 申请公布日 | 2021-11-19 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;B08B3/02（2006.01）I;B08B3/08（2006.01）I;B08B3/12（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李秀丽;邹宇;张平;郭钰 | 申请（专利权）人 | 北京天科合达半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 纪志超 |
| 地址 | 221000江苏省徐州市经济技术开发区创业路26号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种晶片清洗方法，包括：将晶片依次进行DIW清洗、SPM清洗、HQDR清洗、QDR1清洗、QDR2清洗、高浓度SC1清洗、QDR3清洗、DHF清洗、QDR4清洗、低等浓度SC1清洗、QDR5清洗、SC2清洗和QDR6清洗。本发明提供的清洗方法对具体污物针对性强，从脏污去除原理上设计了清洗流程，清洗流程简短，无操作危险。 |
