一种高结晶质量碳化硅单晶片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110909300.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113604883A | 公开（公告）日 | 2021-11-05 |
| 申请公布号 | CN113604883A | 申请公布日 | 2021-11-05 |
| 分类号 | C30B29/36（2006.01）I;C30B15/20（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 娄艳芳;刘春俊;王光明;姚静;雍庆;赵宁;彭同华;杨建 | 申请（专利权）人 | 北京天科合达半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 纪志超 |
| 地址 | 102600北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种碳化硅单晶片，所述碳化硅单晶片的原子面向C面弯曲，Si面原子面的弯曲度大于C面原子面的弯曲度。本发明提供了一种（0001）原子面向C面弯曲，且Si面原子面弯曲度大于C面原子面弯曲度的碳化硅单晶片，以本发明提供的SiC单晶片为衬底进行Si面外延，高温时，原子面都向铺平方向形变，且Si面变形量大于C面变形量，外延结束降温之后，衬底原子面倾向于恢复初始的形状，于是Si面原子面与外延层具有相反的拉伸方向，在一定程度上缓解了外延片向上凸的程度，大大降低了由于外延后面型不合格的比例。本发明还提供了一种碳化硅单晶片的制备方法。 |
