一种碳化硅晶体的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111399398.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114059155A | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN114059155A | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | C30B23/02（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘春俊;王光明;娄艳芳;姚静;雍庆;王波;赵宁;彭同华;杨建 | 申请（专利权）人 | 北京天科合达半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵青朵 |
| 地址 | 102600北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种碳化硅晶体的制备方法，包括以下步骤：A）将碳化硅原料置于坩埚底部，将碳化硅籽晶置于坩埚顶部，所述碳化硅籽晶与坩埚非接触面设置有硅膜；B）将步骤A）得到容器置于碳化硅晶体生长单晶炉中，密封并抽真空，再充入生长气体，然后进行脱膜处理，晶体生长后得到碳化硅晶体。本申请通过在碳化硅籽晶表面制备硅膜，可以有效解决籽晶表面没有做任何二次处理带来的加工过程存留少量划伤缺陷，粘接操作过程在籽晶表面引入新的损伤，生长过程中温度设置不合理导致籽晶碳化等问题导致碳化硅籽晶初期接长的缺陷较多，大大提升碳化硅晶体生长成功率及生长质量。 |
