一种单原子层的二硫化钨二维材料及其逆向物理气相沉积的制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN201911032943.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110734092B | 公开（公告）日 | 2021-01-19 |
| 申请公布号 | CN110734092B | 申请公布日 | 2021-01-19 |
| 分类号 | C23C14/54;C23C14/06;C01G41/00 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 李京波;徐志军;李翎;霍能杰;赵艳;魏钟鸣;陈洪宇 | 申请（专利权）人 | 华南师范大学 |
| 代理机构 | 广东广信君达律师事务所 | 代理人 | 杨晓松 |
| 地址 | 510630 广东省广州市天河区石牌中山大道西55号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于压电子技术领域，公开了一种WS2二维材料及其制备方法和应用。该WS2二维材料是将分别装载WS2粉末和清洗的SiO2/Si衬底放置的加热区的中央和边缘处；通入惰性气体，气流的方向为从衬底流向WS2粉末的方向，以55～60ml/min通气排尽空气，当至1080～1090℃时，改变惰性气体的流向；当至1000～1200℃时，流速为30～100ml/min；降温至900～1000℃，流速为20～80ml/min，至800～900℃时，流速为5～50ml/min，降至室温在SiO2层表面上制得。本发明WS2制得的压电器件具有优良的压电性能和稳定的动态压电信号，压电输出电流达100～800pA。 |
