一种弱相位漂移的铌酸锂波导
基本信息
| 申请号 | CN202010410353.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111522154A | 公开（公告）日 | 2020-08-11 |
| 申请公布号 | CN111522154A | 申请公布日 | 2020-08-11 |
| 分类号 | G02F1/035(2006.01)I;G02F1/03(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 梁寒潇;宋一品;周颖聪;巫海苍;毛文浩;宋时伟 | 申请（专利权）人 | 上海徕刻科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京卓唐知识产权代理有限公司 | 代理人 | 卜荣丽 |
| 地址 | 200240上海市闵行区剑川路951号5幢1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种弱相位漂移的铌酸锂波导，包括铌酸锂层、金属电极以及基底层，所述铌酸锂层包括铌酸锂中心脊和向铌酸锂中心脊两侧延伸的铌酸锂延伸面，所述铌酸锂中心脊的上表面设有金属氧化物层，所述基底层位于所述铌酸锂层的下表面，所述基底层由硅，二氧化硅，硅和二氧化硅多层材料或者二氧化硅、金属与硅的多层材料制成，以此进一步达到达到抑制相位漂移的目的。相较于其他参杂或者其他结构，本结构制作方法简单，同时产生非常好的相位漂移抑制效果。 |
