基于MEMS技术的通讯用集总参数环行器及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202210115351.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114156621A | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN114156621A | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | H01P1/383（2006.01）I;H01P11/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李晓宇;冯楠轩;王梦佳;彭根斋;兰洋;胡艺缤;张志红 | 申请（专利权）人 | 西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所） |
| 代理机构 | 绵阳市博图知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 黎仲 |
| 地址 | 621000四川省绵阳市滨河北路西段268号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于MEMS技术的通讯用集总参数环行器及其制作方法，属于微波元器件技术领域，包括硅主基片，在所述硅主基片下方设置有硅副基片，在硅主基片上方设置有至少两层聚酰亚胺薄膜；在所述硅主基片和硅副基片的上表面和下表面均制作有电路图案，所述硅主基片与硅副基片通过金属过孔和键合的方式互联；每层聚酰亚胺薄膜上也制作有电路图案，并通过聚酰亚胺薄膜上的金属化过孔与下层的电路互联；本发明的利用MEMS工艺技术制作的集总参数微带环行器，尺寸小至3×3mm，具有工艺成熟，速度快、成本低、效率高且一致性好等优点，适合大批量生产，同时可以有效减小铁氧体和器件的尺寸，为更小的如2×2mm、1×1mm器件的打下了工艺基础。 |
