一种基于MEMS工艺的新型微带环行器及其加工方法
基本信息
| 申请号 | CN202210123712.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114447552A | 公开（公告）日 | 2022-05-06 |
| 申请公布号 | CN114447552A | 申请公布日 | 2022-05-06 |
| 分类号 | H01P1/38（2006.01）I;H01P11/00（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I;B81B7/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李晓宇;高春燕;田珺宏;胡艺缤;张志红 | 申请（专利权）人 | 西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所） |
| 代理机构 | 绵阳市博图知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 黎仲 |
| 地址 | 621000四川省绵阳市滨河北路西段268号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于MEMS工艺的新型微带环行器及其加工方法，其结构包括从上到下依次设置的永磁体、介质基板、铁底板，所述介质基板包括硅晶圆、硅晶圆上表面依次设有聚酰亚胺薄膜、上Cr/Au双层膜、上镀Au层，上Cr/Au双层膜上蚀刻有上表面电路，上镀Au层通过陶瓷基片与永磁体粘接；硅晶圆下表面设有下Cr/Au双层膜，其上蚀刻有下表面电路，硅晶圆中部还蚀刻有一铁氧体槽，下表面电路下方还设有一下镀Au层。本发明提出了一种新结构及加工方法，无需两片硅晶圆，无需进行晶圆级金属键合，能有效降此类环行器的工艺步骤、复杂度和成本，减小工艺冗余度，且能减小器件的尺寸，满足小型化的发展需求。 |
