一种高导热高反射率的绝缘核壳复合结构的制备及应用
基本信息
| 申请号 | CN201510293744.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104900793B | 公开（公告）日 | 2017-11-24 |
| 申请公布号 | CN104900793B | 申请公布日 | 2017-11-24 |
| 分类号 | H01L33/64(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I;H01L33/52(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蒋婷婷;陆婷;孙卓;张哲娟 | 申请（专利权）人 | 苏州晶能科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京连城创新知识产权代理有限公司 | 代理人 | 华东师范大学;上海纳晶科技有限公司;苏州晶能科技有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区科苑路1278号3楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及绝缘核壳复合结构的制备领域，具体的讲是一种高导热高反射率的绝缘核壳复合结构的制备及应用,本发明同现有技术相比，制得的纳米至微米级绝缘核壳复合结构具有高导热、高反射率和优良的绝缘性，同时在硅胶中能稳定分散，采用的合成工艺环保、简单、低成本；且提出的一步封装法即印刷高反射薄膜层的同时封装LED芯片，简化了模块封装步骤，提高了器件的散热效率。 |
