液晶材料离子密度的测试方法
基本信息
| 申请号 | CN201811182018.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109031732B | 公开（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申请公布号 | CN109031732B | 申请公布日 | 2021-02-26 |
| 分类号 | G01N21/21(2006.01)I;G01N21/59(2006.01)I;G02F1/13(2006.01)I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 李建;安忠维;胡明刚;李娟利;杨晓哲;万丹阳;莫玲超;车昭毅 | 申请（专利权）人 | 西安彩晶光电科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 中国兵器工业集团公司专利中心 | 代理人 | 梁勇 |
| 地址 | 710065陕西省西安市雁塔区丈八东路168号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种液晶材料中离子密度的测试方法。通过对不同类型介电常数的液晶材料，选择合适的液晶分子取向方式和液晶测试盒，对注有液晶材料的测试盒施加三角波电压，得到电压‑电流曲线，对其中离子运动电流峰面积积分，获得离子密度数值。该方法避免了液晶分子指向矢旋转带来的电流峰干扰，解决了液晶材料中残留离子的定量测试难题。本发明适用于液晶材料的质量可靠性测试评价，尤其是液晶材料中离子密度的测试评价。 |
