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碳化硅单晶的制备方法与碳化硅支撑系统与单晶生长炉

基本信息

申请号 CN202210138010.6 申请日 -
公开（公告）号 CN114438588A 公开（公告）日 2022-05-06
申请公布号 CN114438588A 申请公布日 2022-05-06
分类号 C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 杨丽雯;张云伟;何丽娟;程章勇;康亚荣;李天运 申请（专利权）人 合肥世纪金芯半导体有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 王娇娇
地址 231200安徽省合肥市高新区创新大道106号明珠产业园1#楼1层A区
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种碳化硅单晶的制备方法与碳化硅支撑系统与单晶生长炉，所述制备方法包括：先在一级原料合成室内放置粒径不一的混合粉料；然后通过旋转一级旋转杆，将生长腔室下底板的非通孔位置与所述一级原料合成室上顶板的第一通孔和第二通孔对准，阻断所述混合粉料向所述生长腔室运动，进行粉料合成；最后通过旋转所述一级旋转杆，控制所述一级原料合成室上顶板的第一通孔或第二通孔对准所述生长腔室下底板的的第三通孔，以保证向所述生长腔室供料浓度的平稳运行，实现单晶生长。应用本发明提供的技术方案，可以有效减少碳化硅单晶生长过程中进入的含N量及后期组分不足造成的台阶宽化，避免堆垛层错的产生。