一种掺杂剂及其制备方法以及晶型可控的半绝缘碳化硅晶体生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202210384443.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114686970A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114686970A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 程章勇;张云伟;何丽娟;杨丽雯;李天运 | 申请（专利权）人 | 合肥世纪金芯半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 231200安徽省合肥市高新区创新大道106号明珠产业园1#楼1层A区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种用于实现碳化硅半绝缘性的掺杂剂，所述掺杂剂为碳化钒块体。本发明现将碳化钒进行烧结，形成碳化钒块体，在晶体生长时，将碳化钒块体放入碳化硅粉料中，通过碳化钒块体的体表面积、位置、数量等工艺参数来实现掺杂控制，由于该方法中没有石墨容器，不会在生长过程中产生石墨容器的被腐蚀而出现掺杂剂浓度的突变等现象。同时，由于是碳化钒块体，在碳化硅晶体生长中挥发较慢，所以整体上呈现线性；同时由于块体的挥发，表面积会出现不明显的降低，浓度会出现非常小的变小趋势，这与晶体生长中N、B等浅能级浓度由“多”变“少”相一致。更有利于晶体的在轴向方向上电阻值的均匀性。 |
