一种去除工业硅中硼、磷及其它杂质的综合利用方法
基本信息
| 申请号 | CN201010581857.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102001662B | 公开（公告）日 | 2012-09-19 |
| 申请公布号 | CN102001662B | 申请公布日 | 2012-09-19 |
| 分类号 | C01B33/037(2006.01)I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 李柏榆;汪云华;李海艳;张济祥;许金泉;周金民;王钟钰;王春琴;陈小番;方来鹏;付刚 | 申请（专利权）人 | 云南乾元光能产业有限公司 |
| 代理机构 | 昆明今威专利商标代理有限公司 | 代理人 | 云南乾元光能产业有限公司;云南锡业集团（控股）有限责任公司 |
| 地址 | 650106 云南省昆明市高新技术开发区科技路988号(昆明贵金属研究所罗雁波收转) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种去除工业硅中硼、磷及其它杂质的综合利用方法，本发明涉及采用湿法冶金、氧化造渣和电子束熔炼去除多晶硅中硼、磷及其它杂质。包括：用湿法冶金酸洗方式去除硅中的杂质获得低杂质多晶硅，再用中频感应加热对低杂质多晶硅进行氧化造渣熔炼，通过造渣剂的氧化方式去除多晶硅中的杂质硼，从而获得低硼多晶硅，再次用电子束熔炼去除低硼多晶硅中的磷杂质获得低金属低硼低磷多晶硅。其特点是：低投入、低成本、环境污染小、工艺简单、回收率高，形成了一整套适合于工业化生产太阳能级多晶硅中间产品的可实施工艺。 |
