磁控溅射镀膜腔室、镀膜机以及镀膜方法
基本信息
| 申请号 | CN202111316908.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113774351B | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN113774351B | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | C23C14/35（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 谭志 | 申请（专利权）人 | 武汉中维创发工业研究院有限公司 |
| 代理机构 | 华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 秦冉冉 |
| 地址 | 430000湖北省武汉市东湖新技术开发区关山大道473号光谷新发展国际中心写字楼B座第5、6层05-108室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种磁控溅射镀膜腔室、镀膜机以及镀膜方法。该磁控溅射镀膜腔室包括镀膜罩，样品台以及多个由外到内分布的磁控管组。其中，各磁控管组中具有偶数个磁控管且第1磁控管组的磁控管组中磁控管的数量≥4，第2磁控管组的磁控管组中磁控管的数量≥2，磁控管包括内磁体和位于内磁体两侧的两个外磁体，内磁体的极性与外磁体的极性相反。第1磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性相反，所述第2磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性相同。此时第2磁控管组中磁控管的磁力线会向外围延伸，同时被第1磁控管组中磁控管的磁力线束缚，这样可以有效提高等离子体的溅射纵深，进而提高大尺寸基材表面镀层厚度的均匀性。 |
