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一种新型光MOS继电器

基本信息

申请号	CN201410442738.3	申请日	-
公开（公告）号	CN104184445A	公开（公告）日	2014-12-03
申请公布号	CN104184445A	申请公布日	2014-12-03
分类号	H03K17/785(2006.01)I	分类	基本电子电路;
发明人	阳琳玲	申请（专利权）人	厦门市硅兆光电科技有限公司
代理机构	厦门龙格专利事务所（普通合伙）	代理人	钟毅虹
地址	361000 福建省厦门市湖里区悦华路117号A8-802室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种新型光MOS继电器，其特征在于：输入端由红外LED二极管组成，其中输入端的pin1连接红外LED二极管的“+”极、输入端的pin2连接红外LED二极管的“-”极；输出端由PDA和集成有ESD和反向恢复二极管的MOSFET组成，其中PDA的“+”极连接MOSFET的G极、PDA的“-”极连接MOSFET的S极；MOSFET的D极与输出端的pin4、pin6连接，MOSFET的S极与输出端的pin5连接；上述红外LED二极管、PDA、MOSFET、ESD、反向恢复二极管均位于同一平面内；输入端和输出端间通过透明或半透明树脂的内包封和外层黑色包封料包封组成。本发明使光MOS继电器的抗静电能力提高，输入输出之间的介质耐压提高，其通态、开关损耗均均有大幅度降低、也提高了开关速度。