一种新型高压光MOS继电器
基本信息
| 申请号 | CN201621437413.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN206272591U | 公开（公告）日 | 2017-06-20 |
| 申请公布号 | CN206272591U | 申请公布日 | 2017-06-20 |
| 分类号 | H03K17/785(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 阳琳玲 | 申请（专利权）人 | 厦门市硅兆光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京挺立专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 厦门市硅兆光电科技有限公司 |
| 地址 | 361000 福建省厦门市火炬高新区创业园创业大厦北216A室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种新型高压光MOS继电器，其特征在于：输入端输入端由红外LED二极管组成，其中输入端的pin2连接红外LED二极管的“+”极、pin1连接红外LED二极管的“‑”极，输入端的pin3、pin4集成了内置多级串联光敏二极管PVG；输出端pin5、pin6和pin7、pin8分别并联，输出端由2个MOS的D极组成，一个MOS的D极与输出端的pin5、pin6连接，另一个MOS的D极与输出端的pin7、pin8相连接；光敏二极管PVG的“+”极连接MOS的G极、“‑”极连接MOS的S极。本实用新型可以提高产品的热容量和导热性。 |
