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单晶生长炉（SiC）

基本信息

申请号 CN202130330723.9 申请日 -
公开（公告）号 CN306856378S 公开（公告）日 2021-09-28
申请公布号 CN306856378S 申请公布日 2021-09-28
分类号 15-99 （13） 分类 -
发明人 姚恒;姚泰 申请（专利权）人 南京宏泰晶智能装备科技有限公司
代理机构 广州嘉权专利商标事务所有限公司 代理人 肖军
地址 210000江苏省南京市六合区六合经济开发区时代大道96号
法律状态 -

摘要

摘要 1.本外观设计产品的名称：单晶生长炉（SiC）。2.本外观设计产品的用途：用于生产碳化硅和氮化铝等单晶体的制造设备。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。