凸点制作方法以及凸点结构
基本信息
| 申请号 | CN200910194787.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102005396B | 公开（公告）日 | 2012-12-05 |
| 申请公布号 | CN102005396B | 申请公布日 | 2012-12-05 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 丁万春 | 申请（专利权）人 | 芯电半导体（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 芯电半导体（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种凸点制作方法以及凸点结构，其中，所述凸点制作方法包括：在晶片上沉积凸点下金属层；在凸点下金属层上形成光刻胶层，并曝光、显影形成开口，所述开口中顶部横截面大于底部横截面，且底部露出凸点下金属层；在开口内填充金属，形成金属支柱；在金属支柱顶部沉积焊料，去除所述光刻胶层及其底部的凸点下金属层；高温回流金属支柱顶部的焊料，形成球状凸点焊料。与现有技术相比，本发明制作的凸点结构中，金属支柱与球状凸点焊料间具有较大的接触面积，从而提高了凸点的导电能力，且结构简单，工艺与现有技术相兼容。 |
