再分布结构的形成方法
基本信息
| 申请号 | CN200910194574.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101996900B | 公开（公告）日 | 2012-09-26 |
| 申请公布号 | CN101996900B | 申请公布日 | 2012-09-26 |
| 分类号 | H01L21/60 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梅娜;佟大明;章国伟 | 申请（专利权）人 | 芯电半导体（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种再分布结构的形成方法，包括：在晶圆上形成焊盘；在焊盘及晶圆表面形成第一绝缘层，第一绝缘层的开口与焊盘对应，并对焊盘表面的氧化膜进行去除处理；在第一绝缘层及焊盘的表面形成种子层，种子层延伸至再分布凸点的位置，并对所述种子层进行烘焙；在所述种子层表面形成电镀层；在电镀层表面及第一绝缘层表面形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层的开口位置形成凸点下金属层，在所述凸点下金属层上形成再分布凸点。采用该方法能够提高电镀层表面平整度。 |
