新型阴极靶及旋转进气方法
基本信息
| 申请号 | CN202010189336.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113403591A | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN113403591A | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | C23C14/34（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 王守国;孙浩斌;姜文;刘玮;张华 | 申请（专利权）人 | 山东晶阵新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 265607山东省烟台市蓬莱市南王街道泊王村村北 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 所述的一种新型阴极靶及旋转进气方法，包括空心进气阴极和可移动磁体，其特征在于：阴极靶（101）的中间设有旋转进气口（104），在固定法兰（102）的圆形套筒（106）上也设有旋转进气孔（103），这种旋转进气设计有利于弧根的旋转，也有利于产生更辉光的等离子体电弧状态；在阴极靶（101）背面设有径向磁体，在靶外侧设有可以前后可移动的磁体，该移动磁体同样可用来调控等离子体电弧的辉光状态，实现靶材的均匀刻蚀，从而使镀膜工件表面得到更光洁、致密的高质量镀膜膜层。 |
