一种氮化镓晶体生长系统的泄放氨工序和生长方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种氮化镓晶体生长系统的泄放氨工序和生长方法

基本信息

申请号	CN202011455906.4	申请日	-
公开（公告）号	CN112695373B	公开（公告）日	2021-08-27
申请公布号	CN112695373B	申请公布日	2021-08-27
分类号	C30B7/10;C30B29/40	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	乔焜;邵文锋;林岳明	申请（专利权）人	国镓芯科（深圳）半导体科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	518000 广东省深圳市福田区华富街道新田社区彩田路3030号橄榄鹏苑B座2706
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种氮化镓晶体生长系统的泄放氨工序和生长方法，属于氮化镓晶体生产技术领域，泄放氨工序包括以下步骤：S1、反应容器内的液态氨自然挥发形成气态氨气，并排放至尾气处理装置中，直至反应容器内的压强恢复至一个大气压；S2、打开真空装置，反应容器内的剩余气态氨气抽至尾气处理装置中；S3、启动氮供应装置，向反应容器内充入氮气，直至反应容器内压强恢复至一个大气压；S4、重复S2‑S3步骤若干次，真空装置抽出反应容器内的气体，完成泄放氨工序；本发明通过氨气自然排出、抽气、充氮、再抽气、再充氮的循环，将反应容器内部的氨气浓度降至极低，从而大幅度地降低氨气残留于反应容器内，避免对操作者身体和环境造成的影响。