一种基于沟槽原位掺杂多晶硅的TVS器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202210662544.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114744025A | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN114744025A | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | H01L29/06（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱伟东;赵泊然 | 申请（专利权）人 | 南京融芯微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京中济纬天专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 211899江苏省南京市江北新区研创园腾飞大厦B座4层B401室、B402室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于沟槽原位掺杂多晶硅的TVS器件及其制造方法，包括：重掺杂第一导电类型衬底、掩膜层、第二导电类型离子注入区、第二导电类型原位掺杂多晶硅、顶部多晶硅层、金属层、介质层和钝化层。本发明将沟槽原位掺杂多晶硅与高能离子注入技术相结合，使得TVS器件不仅能够承受更大的浪涌电流，而且在相同的芯片尺寸上具有更好的雪崩特性，同时可以彻底解决现有TVS器件结构中沟槽终端拐角处（A点）处存在的电场尖峰问题。 |
