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光刻工艺中的曝光场的尺寸选择方法

基本信息

申请号	CN201410061115.1	申请日	-
公开（公告）号	CN104865798B	公开（公告）日	2017-07-11
申请公布号	CN104865798B	申请公布日	2017-07-11
分类号	G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027	分类	摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕;
发明人	栾会倩	申请（专利权）人	无锡迪思微电子有限公司
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	无锡华润上华科技有限公司;无锡迪思微电子有限公司
地址	214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
法律状态	-

摘要

一种光刻工艺中的曝光场的尺寸选择方法，用于选择扫描式光刻机和步进式光刻机的曝光场尺寸，包括：获取待生产的芯片尺寸x_d×y_d；获取待光刻的晶圆的半径R；定义横轴方向上的两个shot的中心距离晶圆中心的距离为X、纵轴方向上的两个shot的中心距离晶圆中心的距离为Y、晶圆的去边长度d；扫描式光刻机的最大曝光场尺寸为x_{sc_max}×y_{sc_max}，步进式光刻机的最大曝光场尺寸为x_{st_max}×y_{st_max}；x_sc=a_x×x_d、y_sc=a_y×y_d、x_st=b_x×x_d、y_st=b_y×y_d；根据以下约束条件计算a_x、b_x、a_y、b_y的值：（1）k_x×a_x×x_d=l_x×b_x×x_d=X，同时k_y×a_y×y_d=l_y×b_y×y_d=Y；（2）x_sc＜x_{sc_max}、y_sc＜y_{sc_max}、x_st＜x_{st_max}、y_st＜y_{st_max}；（3）X+0.5x_sc＜R‑d、Y+0.5y_sc＜R‑d；（4）k_x、a_x、l_x、b_x、k_y、a_y、l_y、b_y均为整数。