首页/ 南京曙光硅烷化工有限公司/ 专利详情

三乙氧基硅烷的直接合成方法

基本信息

申请号 CN200810019809.3 申请日 -
公开（公告）号 CN101239986B 公开（公告）日 2012-05-30
申请公布号 CN101239986B 申请公布日 2012-05-30
分类号 C07F7/02(2006.01)I;C07F7/18(2006.01)I 分类 有机化学〔2〕;
发明人 陶再山;李钟宝;祁拥军;王金勇;唐友明 申请（专利权）人 南京曙光硅烷化工有限公司
代理机构 南京天翼专利代理有限责任公司 代理人 汤志武
地址 210041 江苏省南京市雨花台区西善桥镇贾东村136号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及三乙氧基硅烷的直接合成方法，包括如下步骤：(1)对硅粉进行干燥处理，使其活化；(2)将铜化合物与亚铜化合物按1～5∶1的重量比复配成催化剂后进行干燥处理，使其活化；(3)将干燥后的硅粉、催化剂及有机硅消泡剂、高温导热油一起加入反应器中，搅拌均匀；(4)继续搅拌混合物，同时加热至200～250℃；搅拌下加入无水乙醇，每分钟的加入量为硅重量用量的0.5％～5％，加入持续时间为10～20小时；(5)收集三乙氧基硅烷馏出液，直至馏出液中三乙氧基硅烷的含量低于1％。本发明具有硅的转化率高、三乙氧基硅烷的选择性高及适用于大规模的工业化生产的优点。