一种磷化铟晶片的清洗方法
基本信息
| 申请号 | CN202110994873.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113690128A | 公开（公告）日 | 2021-11-23 |
| 申请公布号 | CN113690128A | 申请公布日 | 2021-11-23 |
| 分类号 | H01L21/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘丽杰;赵有文;段满龙;刘鹏;王书怡 | 申请（专利权）人 | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 黄菲菲 |
| 地址 | 519000 广东省珠海市高新区金鼎工业园金园一路6号8栋厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体晶片加工技术领域，公开了一种磷化铟晶片的清洗方法。该清洗方法，先采用有机溶剂去除磷化铟晶片表面的有机物，然后依次采用碱液、酸液和碱液对磷化铟晶片进行清洗。本发明提供的清洗方法，依次去除大颗粒物、小颗粒物和金属残留杂质，能够有效去除大直径磷化铟晶片上的微纳米级杂质颗粒，使大直径磷化铟晶片残留80nm的粒子数密度小于0.2颗/厘米2；在边缘去除2mm情况下，4英寸的磷化铟晶片残留80nm的粒子小于340颗，6英寸的磷化铟晶片残留80nm的粒子小于450颗。 |
