一种低浓度P型磷化铟单晶的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811652934.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109629003B | 公开（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申请公布号 | CN109629003B | 申请公布日 | 2021-05-28 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 刘京明;赵有文 | 申请（专利权）人 | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 |
| 代理机构 | 广东朗乾律师事务所 | 代理人 | 闫有幸;杨焕军 |
| 地址 | 519000广东省珠海市香洲区高新区金鼎工业片区金瑞二路南侧A1栋厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种低浓度P型磷化铟单晶的制备方法，包括以下步骤：S1，对采用VGF法生长单晶时使用的石英管、封帽及氮化硼坩埚进行高温退火处理；S2，采用VGF法生长低浓度P型磷化铟单晶；本发明通过对石英管、封帽及氮化硼坩埚进行高温退火处理，充分去除了石英管、封帽及氮化硼坩埚中的羟基(OH)杂质，从而降低了磷化铟单晶中的氢含量，进而降低了磷化铟单晶中VInH4施主缺陷的浓度。 |
