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一种晶体生长后的退火及脱锅方法以及晶体制备方法

基本信息

申请号	CN201911189275.3	申请日	-
公开（公告）号	CN110725008A	公开（公告）日	2020-01-24
申请公布号	CN110725008A	申请公布日	2020-01-24
分类号	C30B29/40;C30B33/02;C30B11/02	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	段满龙;赵有文;杨俊;刘京明;卢伟	申请（专利权）人	珠海鼎泰芯源晶体有限公司
代理机构	广东朗乾律师事务所	代理人	闫有幸;杨焕军
地址	519000广东省珠海市高新区金鼎工业片区金园一路6号8栋厂房
法律状态	-

摘要

本发明公开一种晶体生长后的退火及脱锅方法以及晶体制备方法；所述退火及脱埚方法包括退火步骤以及退火步骤之后的脱埚步骤；具体地，退火步骤包括以下阶段：第一阶段：升温阶段，温度升高至所述覆盖剂的熔点以上、且低于晶体表面离解温度；第二阶段：恒温阶段，温度维持恒温，持续时间3～7h；第三阶段：调整晶体生长炉的倾斜角度，所述晶体生长炉沿纵向转动的角度介于95°～150°之间；本阶段温度继续维持恒温，持续时间1～4h；第四阶段：降温阶段，温度逐渐降温至室温；所述脱埚步骤具体包括：将所述坩埚从石英安瓿瓶中取出，经过40℃～80℃的超声波水浴，持续1～4h。本发明能够减少晶体制备工序，减少脱埚过程中对坩埚的损伤，保证了单晶的质量以及节约成本。