一种基于VGF法的气相掺杂的晶体生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201911405446.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111041550B | 公开（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申请公布号 | CN111041550B | 申请公布日 | 2021-10-12 |
| 分类号 | C30B11/06（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I;C30B11/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 赵有文;段满龙;刘鹏;卢伟;杨俊;刘京明;谢辉 | 申请（专利权）人 | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 |
| 代理机构 | 广东朗乾律师事务所 | 代理人 | 闫有幸 |
| 地址 | 519000广东省珠海市高新区金鼎工业片区金园一路6号8栋厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种基于VFG法的气相掺杂的晶体生长方法；涉及晶体制备技术领域。包括以下步骤：S1、将晶体生长用多晶、籽晶、红磷放入坩埚；S2、将所述坩埚放置于石英管内；其特征在于，步骤S2之后还包括，S3、将连接有掺杂剂的石英封帽盖在所述石英管上，并使得所述掺杂剂位于所述石英管内，且所述掺杂剂与多晶、籽晶以及红磷不接触；之后将石英封帽与石英管密封。通过对VGF法晶体生长用的石英封帽、升温工艺的改进，让掺杂剂与晶体生长的其他原材料分离开来，掺杂剂Fe元素通过气相扩散进行进入熔体，实现掺杂浓度均匀，提高了晶体电阻率均匀性及成晶率；同时也能够降低掺杂剂Fe的掺杂量，节省了成本。 |
