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一种基于VGF法的晶体生长用双层壁坩埚

基本信息

申请号 CN201922095129.6 申请日 -
公开（公告）号 CN211005709U 公开（公告）日 2020-07-14
申请公布号 CN211005709U 申请公布日 2020-07-14
分类号 C30B11/00(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I 分类 -
发明人 赵有文;卢伟;段满龙;杨俊;刘京明 申请（专利权）人 珠海鼎泰芯源晶体有限公司
代理机构 广东朗乾律师事务所 代理人 闫有幸;杨焕军
地址 519000广东省珠海市高新区金鼎工业片区金园一路6号8栋厂房
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种基于VGF法的晶体生长用双层壁坩埚，涉及晶体生长技术领域；所述双层壁坩埚包括内坩埚，所述内坩埚为由圆筒部与漏斗部结合构成的一体成型结构，所述圆筒部位于所述内坩埚的上部，所述漏斗部位于所述内坩埚的下部；其特征在于，还包括套设于所述内坩埚的外壁的保温层。本实用新型的双层壁坩埚，在原有内坩埚局部增加了保温层结构，在升温的同时，能够让内坩埚内介质的温度均匀的增强，局部温度稳态升高，降低了出现孪晶和花晶的几率。同时，本实用新型的双层壁坩埚提高了热场内部的热流密度，增加了整个晶体生长温度场的纵向温度梯度，进一步提高了磷化铟单晶率。