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一种基于VGF法的气相掺杂的晶体生长方法

基本信息

申请号 CN201911405446.1 申请日 -
公开（公告）号 CN111041550A 公开（公告）日 2020-04-21
申请公布号 CN111041550A 申请公布日 2020-04-21
分类号 C30B11/06;C30B29/40;C30B11/00 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 赵有文;段满龙;刘鹏;卢伟;杨俊;刘京明;谢辉 申请（专利权）人 珠海鼎泰芯源晶体有限公司
代理机构 广东朗乾律师事务所 代理人 闫有幸
地址 519000 广东省珠海市高新区金鼎工业片区金园一路6号8栋厂房
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种基于VFG法的气相掺杂的晶体生长方法；涉及晶体制备技术领域。包括以下步骤：S1、将晶体生长用多晶、籽晶、红磷放入坩埚；S2、将所述坩埚放置于石英管内；其特征在于，步骤S2之后还包括，S3、将连接有掺杂剂的石英封帽盖在所述石英管上，并使得所述掺杂剂位于所述石英管内，且所述掺杂剂与多晶、籽晶以及红磷不接触；之后将石英封帽与石英管密封。通过对VGF法晶体生长用的石英封帽、升温工艺的改进，让掺杂剂与晶体生长的其他原材料分离开来，掺杂剂Fe元素通过气相扩散进行进入熔体，实现掺杂浓度均匀，提高了晶体电阻率均匀性及成晶率；同时也能够降低掺杂剂Fe的掺杂量，节省了成本。