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基于VGF法晶体生长用石英封帽、晶体生长装置及晶体生长工艺

基本信息

申请号 CN201911411298.4 申请日 -
公开（公告）号 CN110952133A 公开（公告）日 2020-04-03
申请公布号 CN110952133A 申请公布日 2020-04-03
分类号 C30B11/00(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 赵有文;沈桂英;段满龙;杨俊;卢伟;刘鹏 申请（专利权）人 珠海鼎泰芯源晶体有限公司
代理机构 广东朗乾律师事务所 代理人 闫有幸
地址 519000广东省珠海市高新区金鼎工业片区金园一路6号8栋厂房
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种基于VGF法晶体生长用石英封帽、晶体生长装置以及晶体生长工艺；所述石英封帽与石英管配合使用以实现石英管的密封，石英管内密封有晶体生长用坩埚，坩埚内盛装有晶体生长用原材料，所述原材料与石英封帽之间设置有自由空间；石英管具有开口；所述石英封帽包括盖住石英管的开口的盖体；其特征在于，所述石英封帽具有温控部，所述温控部凸出所述盖体向上，所述温控部具有通向所述石英管的内腔。通过对VGF法晶体生长用的石英封帽、晶体生长装置以及加热工艺的配合改进，能够比较容易的对自由空间的蒸气压进行控制；让自由空间的蒸气压始终处于稳定的状态，从而得到均匀掺杂的单晶体。