底发射多结VCSEL阵列
基本信息
| 申请号 | CN202080063283.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114450862A | 公开（公告）日 | 2022-05-06 |
| 申请公布号 | CN114450862A | 申请公布日 | 2022-05-06 |
| 分类号 | H01S5/183（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姜烔锡;贺永祥;锡瓦库马尔·兰卡;汪洋 | 申请（专利权）人 | 深圳瑞识智能科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市深佳知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 陈彦如 |
| 地址 | 518057广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南环路29号留学生创业大厦一期1401 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 底发射多结VCSEL阵列（200、300、400）包括第一反射器区域、多结有源区域（101、201、301、401）和第二反射器区域。多结VCSEL阵列（200、300、400）通过倒装芯片键合被附接至基座（213、317、414）。多结VCSEL阵列（200、300、400）还包括在第一反射器区域与基板（204、305、405）之间形成的接触层（304、404）。多结VCSEL阵列（200、300、400）通过倒装芯片键合被附接至基座（213、317、414）。 |
