具有非隔离发射器的VCSEL阵列
基本信息
| 申请号 | CN202080047509.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114175428A | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN114175428A | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01S5/183（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 姜烔锡;贺永祥;锡瓦库马尔·兰卡;汪洋 | 申请（专利权）人 | 深圳瑞识智能科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人 | 车大莹;郭伟刚 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区高新南环路46号留学生创业大厦二期1802室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种包括多个非隔离VCSEL发射器的VCSEL阵列。每个非隔离VCSEL发射器包括第一反射器区、限流氧化层、氧化缝隙、有源区和第二反射器区。限流氧化层和氧化缝隙通过单独的氧化孔氧化铝含量较高的层而形成。氧化缝隙周围有单独的氧化孔。多个非隔离VCSEL结构的第一反射器区是连接的，使得它们不被任何隔离结构彼此完全隔离，多个非隔离VCSEL结构的第二反射器区域是连接的，使得它们不被任何隔离结构彼此完全隔离。 |
