一种枝晶铂修饰的微电极阵列及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201710203187.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108652618B | 公开（公告）日 | 2021-09-07 |
| 申请公布号 | CN108652618B | 申请公布日 | 2021-09-07 |
| 分类号 | A61B5/263;A61B5/283;A61B5/293;B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 | 分类 | 医学或兽医学；卫生学; |
| 发明人 | 夏凯;吴天准;孙滨;曾齐 | 申请（专利权）人 | 深圳先进技术研究院 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种枝晶铂修饰的微电极阵列，所述微电极阵列的电极表面设置有枝晶铂修饰层。该微电极阵列以枝晶铂为表面修饰层，修饰层与微电极基底的结合力较好，不容易脱落导致电极失效，并且修饰后的微电极表面积极大地增加，其电化学阻抗明显降低，电极电荷注入容量和电荷存储能力大大增加，这有利于降低植入的系统功耗，改善电刺激效果，同时修饰层具有良好的生物相容性以及机械稳定性，使其在生物医学领域的应用大大增加。本发明还提供了一种枝晶铂修饰的微电极阵列的制备方法。以电化学沉积的方式，将微电极阵列的表面修饰了一层枝晶铂修饰层，该方法溶液配制简单，且无其他有毒物质如铅等添加剂，条件温和、简单易行。 |
