一种等离子体CVD装置的腔内台升降机构
基本信息
申请号 | CN201920910781.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN210657129U | 公开(公告)日 | 2020-06-02 |
申请公布号 | CN210657129U | 申请公布日 | 2020-06-02 |
分类号 | C23C16/458(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 赵月;洪丽;公占飞 | 申请(专利权)人 | 新优势产业集团有限公司 |
代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 尉伟敏 |
地址 | 310053浙江省杭州市滨江区浦沿街道滨康路680号1幢208室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开了一种等离子体CVD装置的腔内台升降机构,机架的工作平台上设有等离子腔,等离子腔下端的开口处设有腔体法兰,工作平台下方的机架上竖直设有导轨,升降机构包括设置在导轨上由电机驱动的升降座,升降座的一侧设有水平结构的升降台,升降台上方设有用于密封等离子腔下端开口的升降法兰,升降台与升降法兰之间设有缓冲机构,等离子体CVD装置的腔内台通过支撑管固定在升降台上,腔内台位于升降法兰的上方且与等离子腔下端的开口相对应。本实用新型的升降机构在腔内台升降时具有缓冲功能,等离子腔密封性好且升降机构的使用寿命长,具有很高的实用价值。 |
