等离子体CVD设备
基本信息
| 申请号 | CN202111164996.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113913780A | 公开（公告）日 | 2022-01-11 |
| 申请公布号 | CN113913780A | 申请公布日 | 2022-01-11 |
| 分类号 | C23C16/27（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I;C23C16/511（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 赵月 | 申请（专利权）人 | 新优势产业集团有限公司 |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 尉伟敏 |
| 地址 | 310051浙江省杭州市滨江区滨康路680号1幢208室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种等离子体CVD设备，腔体包括由底板、侧壁及壁及顶盖围合构成的内腔，侧壁内设有侧壁冷却腔，顶盖上设有均匀进气装置，底板上设有均匀排气装置，内腔的下部设有用于放置基材的平台，平台内部设有平台冷却腔，机架上的微波源与波导同轴转换装置连接，波导同轴转换装置的同轴输出端外导体与底板上的微波输入孔连接，内导体与平台冷却腔底部的开口相连，内导体内套设有冷却液输入管。本发明的等离子体CVD设备具有结构简单，效率高、基材取放操作方便且腔体体积小的优点。 |
