等离子体CVD装置
基本信息
| 申请号 | CN201910523742.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110804732B | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN110804732B | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | C23C16/458（2006.01）I;C23C16/54（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 洪丽;赵月;公占飞 | 申请（专利权）人 | 新优势产业集团有限公司 |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 尉伟敏 |
| 地址 | 310053浙江省杭州市滨江区浦沿街道滨康路680号1幢208室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种等离子体CVD装置，机架的工作平台上固定有一个圆筒状的腔体，腔体的顶部设有微波转换器，腔体外壁上设有环绕腔体的环形进气道及环形抽气道，腔体中部的外周设有若干观察窗，腔体的下部设有开口，机架上设有升降机构，升降机构包括一升降台及设置在升降台上用于密封腔体开口的升降法兰，升降台与升降法兰之间设有缓冲机构，用于安置基材的腔内台通过支撑管固定在升降台上，腔内台位于升降法兰的上方且与腔体的开口对应，腔内台的下部设有防泄漏装置。本发明的等离子体CVD装置具有结构简单，腔体密封性好，微波泄漏少且使用寿命长的优点，具有很高的实用价值。 |
