触控传感器用ITO导电薄膜及其制备方法和触控屏应用
基本信息
| 申请号 | CN202111317287.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113990555A | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 申请公布号 | CN113990555A | 申请公布日 | 2022-01-28 |
| 分类号 | H01B5/14（2006.01）I;H01B13/00（2006.01）I;G06F3/041（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 华建军 | 申请（专利权）人 | 惠州市天誉科技有限公司 |
| 代理机构 | 广东创合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵瑾 |
| 地址 | 516227广东省惠州市惠阳区镇隆镇甘陂村永华工业园H栋厂房一楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于触控传感器技术领域。一种触控传感器用ITO导电薄膜，包括基材层，还包括依次沉积于所述基材层表面的接着层、结晶过渡层、易结晶层和金属导电层；所述结晶过渡层为结晶态的第一ITO层，所述易结晶层为非结晶态的第二ITO层。本发明ITO导电薄膜韧性好，透光率高，电阻小，载流子迁移率高，导电性能好。 |
