一种改进的铜面电容式ITO导电膜
基本信息
| 申请号 | CN201920931540.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209895358U | 公开（公告）日 | 2020-01-03 |
| 申请公布号 | CN209895358U | 申请公布日 | 2020-01-03 |
| 分类号 | G06K9/00（2006.01） | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 华建军; 湛克宇 | 申请（专利权）人 | 惠州市天誉科技有限公司 |
| 代理机构 | 惠州创联专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵瑾 |
| 地址 | 516227 广东省惠州市惠阳区镇隆镇甘陂村永华工业园H栋厂房一楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种改进的铜面电容式ITO导电膜，包括由下至上依次设置的基材层、ITO层、铜导电层、以及导电阻绝层，所述ITO层设有高穿透区，所述铜导电层和导电阻绝层对应所述高穿透区设有网栅结构区，所述网栅结构区包括多条横向导线和多条竖向导线，所述横向导线和竖向导线相互垂直交叉形成具有穿透孔的网状结构。本实用新型通过蚀刻方式在ITO层形成高穿透区，铜导电层和导电阻绝层对应高穿透区设置网栅结构区，提高ITO层、铜导电层、以及导电阻绝层的红外线穿透率，使得ITO导电膜可适用于具有红外线识别的电子屏幕，提高了产品的适用性。 |
