一种可防止高温下方阻升高的ITO导电膜
基本信息
| 申请号 | CN201920917669.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209804280U | 公开（公告）日 | 2019-12-17 |
| 申请公布号 | CN209804280U | 申请公布日 | 2019-12-17 |
| 分类号 | H01B5/14（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 华建军; 湛克宇 | 申请（专利权）人 | 惠州市天誉科技有限公司 |
| 代理机构 | 惠州创联专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵瑾 |
| 地址 | 516211 广东省惠州市惠阳区镇隆镇甘陂村永华工业园H栋厂房一楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及导电膜技术领域，特别是关于一种可防止高温下方阻升高的ITO导电膜。包括基材层，所述基材层的上表面依次层叠有第一导热层、第一加硬层、二氧化硅层以及ITO导电层，所述基材层的下表面依次层叠有散热层和第二加硬层，所述第一导热层和第二导热层均通过耐高温无机粘合剂分别与基材层的上表面和下表面粘合。本实用新型通过第一导热层和第二导热层的相互配合，使得导电膜在不同温度条件下使用时，都能快速地将热量及时散发出去，从而保证其表面方阻的稳定性，而不会造成其方阻在高温下的偏高情况。 |
