一种低阻高透过率的ITO导电膜结构
基本信息
| 申请号 | CN201821717136.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209071007U | 公开（公告）日 | 2019-07-05 |
| 申请公布号 | CN209071007U | 申请公布日 | 2019-07-05 |
| 分类号 | H01B5/14（2006.01）I; H01B1/08（2006.01）I; H01B1/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 华建军; 卢相学 | 申请（专利权）人 | 惠州市天誉科技有限公司 |
| 代理机构 | 惠州创联专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵瑾 |
| 地址 | 516227 广东省惠州市惠阳区镇隆镇甘陂村永华工业园H栋厂房一楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种低阻高透过率的ITO导电膜结构，包括表层ITO层，设置在所述表层ITO层下方的Ag膜层、设置在所述Ag膜层下方的SiO2膜层、以及设置在所述SiO2膜层下方的透明塑料基材层。通过设置Ag膜层和SiO2膜层，可提高导电膜的柔韧性和导电性能。表层ITO层不仅可以防止Ag层氧化、提高薄膜耐磨性，还可以作为减反层来提高薄膜可见光透过率。本实用新型的方阻低、透过率高，还能起到隔热、低辐射，以及很好的电磁屏蔽效果。 |
