一种气缸型硅晶片置中装置
基本信息
| 申请号 | CN202122922658.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216719968U | 公开（公告）日 | 2022-06-10 |
| 申请公布号 | CN216719968U | 申请公布日 | 2022-06-10 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I;H01L21/68（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴廷斌;张学强;张建伟;罗银兵;葛聪 | 申请（专利权）人 | 罗博特科智能科技股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215000江苏省苏州市工业园区唯亭港浪路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及光伏行业附属装置的技术领域，特别是涉及一种气缸型硅晶片置中装置，其结构简单，安装在硅晶片传输轨道的两侧上，使用两个气缸同步动作对硅晶片进行置中，提高置中精度，提高效率；包括两组置中机构，两组置中机构对称安装在硅晶片传输轨道的两侧，置中机构包括与硅晶片传输轨道连接的基板，基板上固定连接有竖板，竖板上固定有固定座，固定座上安装有气缸，气缸的输出端安装有推板，推板上安装有L型板，L型板的水平段上固定有安装座，安装座上固定有夹板。 |
