单晶硅等径生长的控制方法、设备及存储介质
基本信息
| 申请号 | CN201811465277.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111254485B | 公开（公告）日 | 2021-05-04 |
| 申请公布号 | CN111254485B | 申请公布日 | 2021-05-04 |
| 分类号 | C30B15/22;C30B29/06;G06F17/18 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王正远;李侨;徐战军 | 申请（专利权）人 | 腾冲隆基硅材料有限公司 |
| 代理机构 | 北京挺立专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 张智锐 |
| 地址 | 679100 云南省保山市腾冲市腾越镇上绮罗社区栗树园小区114号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开提供一种单晶硅等径生长的控制方法、设备及存储介质，涉及晶体制造技术领域，能够自动调整晶体等径生长的控制力度，进而更好的控制晶体直径。具体技术方案为：获取第i个循环周期的PID初始值；对第i个循环周期的PID初始值进行修正，得到第i个循环周期的PID修正值；根据第i个循环周期的PID修正值控制第i个循环周期的晶体生长直径。本发明用于控制单晶硅的等径生长。 |
