首页/ 常州比太科技有限公司/ 专利详情

一种太阳能电池发射结制备方法

基本信息

申请号 CN202110281240.3 申请日 -
公开（公告）号 CN113066896A 公开（公告）日 2021-07-02
申请公布号 CN113066896A 申请公布日 2021-07-02
分类号 H01L31/18;H01L31/0352 分类 基本电气元件;
发明人 闫路;上官泉元 申请（专利权）人 常州比太科技有限公司
代理机构 北京集智东方知识产权代理有限公司 代理人 吴倩
地址 213164 江苏省常州市武进高新技术产业开发区凤翔路7号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种太阳能电池发射结制备方法，包括如下步骤：S1.预先采用下镀膜的真空镀膜方式在硅片表面制备掺杂非晶硅薄膜，即硅片平躺放置在载板上，硅片边缘被载板托举覆盖，掺杂非晶硅薄膜沉积在硅片的下表面；S2.进入高温炉中进行扩散；S3.扩散完成后降低炉温，在高温炉里通入氧气对掺杂非晶硅薄膜进行氧化处理，便于下一道清洗；S4.硅片出炉冷却、清洗，完成发射结制备。本发明通过下镀膜的真空镀膜方式，保护硅片边缘防止绕镀，简化后续清洗工艺步骤；降低了扩散温度，减小了对硅基体造成的热损伤，有利于电池效率的提升，降低了制造能耗，有利于成本控制；总工艺时间缩减至现有技术的1/2，生产效率显著提升。