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一种采用GP工艺的低温漂稳压二极管

基本信息

申请号 CN201821819150.5 申请日 -
公开（公告）号 CN209447792U 公开（公告）日 2019-09-27
申请公布号 CN209447792U 申请公布日 2019-09-27
分类号 H01L25/07（2006.01）I; H01L29/861（2006.01）I; H01L23/29（2006.01）I; H01L23/48（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 董珂 申请（专利权）人 青岛固锝电子有限公司
代理机构 济南信达专利事务所有限公司 代理人 济南固锝电子器件有限公司
地址 250101 山东省济南市高新技术开发区孙村片区科远路1659号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型属于半导体功率器件电子技术领域，具体地说是一种采用GP工艺的低温漂稳压二极管。该实用新型的采用GP工艺的低温漂稳压二极管包括稳压芯片一、稳压芯片二和封装层，稳压芯片一和稳压芯片二上均镀有铝膜，稳压芯片一的N区与稳压芯片二的N区通过所述铝膜高温焊接成一体，稳压芯片一的P区和稳压芯片二的P区分别连接有钼粒层，两钼粒层分别通过焊片连接有引线，封装层设于稳压芯片一、稳压芯片二、钼粒层和焊片外，用于封装稳压芯片一、稳压芯片二、钼粒层和焊片。本实用新型的采用GP工艺的低温漂稳压二极管结构设计合理，提高可靠性，具有良好的推广应用价值。